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壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當(dāng)晶粒大小一定時(shí)，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關(guān)系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子（www.iisou.com）聯(lián)系，謝謝！

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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應(yīng)用于過電壓保護(hù)、浪涌吸收、過電流泄放等方面,是防護(hù)電氣電子設(shè)備因受雷電閃擊及其他瞬態(tài)電磁干擾造成傳導(dǎo)過電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護(hù)效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統(tǒng)或設(shè)備運(yùn)行中必然存在老化劣化現(xiàn)象,

故必須對其進(jìn)行定期檢測,以防止老化劣化產(chǎn)品仍工作在系統(tǒng)或設(shè)備中。然而,目前檢測方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I

leakage兩個(gè)參數(shù)都存在拐點(diǎn)效應(yīng),即只有當(dāng)MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會出現(xiàn)顯著變化;而在這個(gè)拐點(diǎn)之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93測試標(biāo)準(zhǔn)的要求[8],這就給檢測結(jié)果帶來不確定性。某個(gè)產(chǎn)品自身已經(jīng)老化劣化到一定程度需要及時(shí)更換,但U1mA和Ileakage檢測值仍然合格。

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