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能量吸收能力：

能量吸收能力Wmax=Vmax·Imax·tmax其中Imax由降額曲線上查到；Vmax可從I-V特性曲線上讀取，對(duì)應(yīng)Imax時(shí)的電壓值；tmax可用矩形法求得，數(shù)據(jù)是用2ms方波，加100次脈沖，脈沖間隔120s，|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所能吸收的能量。單位體積的能量吸收能力E上限為200-250J/cm3，也有報(bào)道超過(guò)1000J/cm3的

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晶粒邊界到晶粒的電位陡降發(fā)生在≈５０￣１００ｎｍ　的距離內(nèi)，稱為耗盡層。這樣， 在每個(gè)晶粒邊界處都存在晶粒邊界向兩側(cè)延展入相鄰晶粒 的耗盡層。晶粒間存在耗盡層提高了壓敏電阻的作用。 晶粒邊界兩側(cè)兩個(gè)耗盡層的存在，使得　 ＺｎＯ　 壓敏電 阻對(duì)極性變化不敏感。在這一方面，壓敏電阻像一個(gè)背對(duì) 背的二極管。進(jìn)一步說(shuō)，由于晶粒邊界附近區(qū)域的電子被 耗盡，當(dāng)施加外電壓時(shí)，跨在晶粒邊界上出現(xiàn)一電壓降。 這被稱作勢(shì)壘電勢(shì)，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒邊界）。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷！

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ZnO晶相位于晶粒體內(nèi)，為低電阻率的半導(dǎo)體，對(duì)大電流特性有決定性作用。ZnO半導(dǎo)化的原因主要是氧不足導(dǎo)致的非化學(xué)計(jì)量比和施主摻雜，有大量的導(dǎo)電電子存在，為n型半導(dǎo)體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3

·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過(guò)850℃后從焦綠石相中分離出來(lái)，生成含

Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。

Cr有穩(wěn)定尖晶石相的作用，高溫冷卻時(shí)，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時(shí)形成，850℃時(shí)達(dá)到峰值，約950℃時(shí)消失，

反應(yīng)式如下

2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3

由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請(qǐng)，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！

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