壓敏電阻采購,就選源林電子,型號豐富
壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系:
對ZnO壓敏電阻器,加在每晶界上的電壓約為3.5V,所以當晶粒大小一定時,壓敏電阻器越厚,壓敏電壓越高,關(guān)系如下:
U=UgbNgt , E0.5=U/t
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ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu),其化學鍵處于離子鍵與共價鍵的中間鍵型狀態(tài),氧離子以六方密堆,鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙,鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結(jié)構(gòu),開放的結(jié)構(gòu)對缺陷的性質(zhì)及擴散機制有影響,所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的,正負離子的配位數(shù)均為4,所以容易引入外部雜質(zhì),ZnO熔點為2248,密度為5.6g/cm3,純凈的ZnO晶體,其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成,禁帶寬度為3.2~3.4eV,因此,室溫下,滿足化學計量比的純凈ZnO應是絕緣體,而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子,所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學計量比n型半導體。
Eda等認為,在本征缺陷中,填隙鋅原子擴散快,對壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。
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能量吸收能力:
能量吸收能力Wmax=Vmax·Imax·tmax其中Imax由降額曲線上查到;Vmax可從I-V特性曲線上讀取,對應Imax時的電壓值;tmax可用矩形法求得,數(shù)據(jù)是用2ms方波,加100次脈沖,脈沖間隔120s,|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所能吸收的能量。單位體積的能量吸收能力E上限為200-250J/cm3,也有報道超過1000J/cm3的
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