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ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu),其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài),氧離子以六方密堆,鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙,鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對開放的晶體結(jié)構(gòu),開放的結(jié)構(gòu)對缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響,所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的,正負(fù)離子的配位數(shù)均為4,所以容易引入外部雜質(zhì),ZnO熔點(diǎn)為2248,密度為5.6g/cm3,純凈的ZnO晶體,其能帶由02-的滿的2p電子能級和Zn2+的空的4s能級組成,禁帶寬度為3.2~3.4eV,因此,室溫下,滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體,而ZnO中常見的缺陷是金屬填隙原子,所以它是金屬過剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。
Eda等認(rèn)為,在本征缺陷中,填隙鋅原子擴(kuò)散快,對壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。
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連續(xù)工作電壓MCOV
連續(xù)工作電壓MCOV指的是壓敏電阻在應(yīng)用時(shí)能長期承受的直流電壓UDC或交流電壓有效值URMS直流電壓的值為80%~92%U1mA,或產(chǎn)品在85℃下,正常工作1000h,施加的直流電壓;交流電壓的值為60%~65%U1mA,或產(chǎn)品在85℃下,正常工作1000h,施加的交流電壓。
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低電場區(qū)域的漏電流
漏電流包括阻性和容性兩部分,交流電壓下容性電流比阻性電流大得多。溫度升高或電場增大,阻性電流增大。壓敏電壓的溫度系數(shù)在-10-4/℃—-10-3/℃之間,計(jì)算公式如下:
T=dU1mA/(U1mAdT)
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