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殘壓比KR
通過壓敏電阻器的電流為某一值時(shí)，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。
殘壓比KR的定義公式為：
KR =UR/UN
殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。
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通流容量：
通流容量是指施加規(guī)定波形的沖擊電流和沖擊次數(shù)，沖擊后壓敏電壓的變化小于或等于規(guī)定值時(shí)所能通過的電流。它和脈沖幅度，脈沖持續(xù)時(shí)間及應(yīng)用中所要承受的脈沖次數(shù)有關(guān)，可從降額曲線中查得。測(cè)量時(shí)一般施加8*20μs或2ms的方波。
源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷！
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ZnO壓敏電阻器的結(jié)構(gòu)：
晶粒體為電阻率很低的半導(dǎo)體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢(shì)壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結(jié)構(gòu)松弛，雜質(zhì)占據(jù)這些位置比占據(jù)體內(nèi)晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。
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