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殘壓比KR  

通過(guò)壓敏電阻器的電流為某一值時(shí)，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過(guò)電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的電流為1mA時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標(biāo)準(zhǔn)，該電壓用U1mA表示，稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)轉(zhuǎn)折點(diǎn)的一個(gè)參數(shù)，一般情況下是一般情況下是1mA（Φ5 產(chǎn)品為0.1mA）直流電流通過(guò)時(shí)，產(chǎn)品的兩端的電壓值，其偏差為±0.1%。

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壓敏電壓

壓敏電壓是指在電流為1mA時(shí)測(cè)得的壓敏電阻器兩端的電壓降，它沒(méi)考慮壓敏電阻器的尺寸；E0.5是指在電流為0.5mA/cm2下測(cè)得的加在壓敏電阻器上的電場(chǎng)強(qiáng)度；C值是指在電流為1A（也有的地方說(shuō)1mA，但差別不大）時(shí)壓敏電阻器兩端的電壓降。在n個(gè)相同的壓敏電阻器串聯(lián)或并聯(lián)時(shí)C值的變化如下：

a）串聯(lián)時(shí)電流不變，電壓增大n倍，這時(shí)C值提高n倍，可利用壓敏電阻器串聯(lián)來(lái)提高工作電壓。

                                          V=nCI1/α=(nC)I1/α=C’I1/α

b）并聯(lián)時(shí)電壓不變，電流增大n倍，C值幾乎不變，可利用壓敏電阻器的并聯(lián)來(lái)提高通流容量。

                                          I=n(V/C)α=[V/(Cn–1/α)]α=(V/C’)α

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