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zno壓敏電阻是半導(dǎo)體電子陶瓷器件，主要功能是 識(shí)別和限制瞬態(tài)過電壓，反復(fù)使用而不損壞。它的電流 （Ｉ）—電壓（Ｕ）特性是非線性的，與穩(wěn)壓二極管相似。 但與二極管不同，壓敏電阻能限制的過電壓在兩個(gè)極性上 相等，于是呈現(xiàn)的　 Ｉ－Ｕ　 特性很象兩個(gè)背對(duì)背的二極管。 壓敏電阻能用于交流和直流電場(chǎng)，電壓范圍從幾伏到幾千 伏，電流范圍從毫安到幾千安。壓敏電阻還附加有高能量 吸收能力的特性，范圍從幾焦耳到幾千焦耳。它的通用性 使得壓敏電阻在半導(dǎo)體工業(yè)和電力工業(yè)都有應(yīng)用。 ＺｎＯ　壓敏電阻是用半導(dǎo)體　ＺｎＯ　粉末和其它氧化物粉末 如：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ　等經(jīng)過混合、壓型和燒 結(jié)工藝而制成。得到的產(chǎn)品是具有晶界特性的多晶陶瓷， 這一邊界特性決定了壓敏電阻的非線性?。桑铡√匦?。 ＺｎＯ　壓敏電阻的基本特性包括電學(xué)特性、物理特性和 化學(xué)特性。微觀結(jié)構(gòu)是體現(xiàn)這些性質(zhì)的媒介，是　ＺｎＯ　壓敏 電阻的基礎(chǔ)。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷！

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壓敏電壓U1mA

壓敏電阻的線性向非線性轉(zhuǎn)變的電壓轉(zhuǎn)變時(shí)，位于非線性的起點(diǎn)電壓正好在I-V曲線的的拐點(diǎn)上，該電壓確定為元件的啟動(dòng)電壓，也稱為壓敏電壓，是由阻性電流測(cè)試而得的。由于I-V曲線的轉(zhuǎn)變點(diǎn)清晰度不明顯，多數(shù)情況下是在通1mA電流時(shí)測(cè)量的，用U1mA來表示。對(duì)于一定尺寸規(guī)格的ZnO壓敏電阻片，可通過調(diào)節(jié)配方和元件的幾何尺寸來改變其壓敏電壓。亦有使用10mA電流測(cè)定的電壓作為壓敏電壓者，以及使用標(biāo)稱電流測(cè)試者，標(biāo)稱電壓定義為0.5mA/cm2，電流密度測(cè)定的電場(chǎng)強(qiáng)度E0.5表示，對(duì)于大多數(shù)壓敏電阻器而言，這個(gè)值更接近非線性的起始點(diǎn)。3. 漏電流IL壓敏電阻器進(jìn)入擊穿區(qū)之前在正常工作電壓下所流過的電流，稱為漏電流IL。漏電流主要由三部分貢獻(xiàn)：元件的容性電流，元件的表面態(tài)電流和元件晶界電流。一般對(duì)漏電流的測(cè)量是將0.83倍U1mA的電壓加于壓敏電阻器兩端，此時(shí)流過元件的電流即為漏電流。根據(jù)壓敏電阻器在預(yù)擊穿區(qū)的導(dǎo)電機(jī)理，漏電流的大小明顯地受到環(huán)境溫度的影響。當(dāng)環(huán)境溫度較高時(shí)，漏電流較大；反之，漏電流較小?？梢酝ㄟ^配方的調(diào)整及制造工藝的改善來減小壓敏電阻器的漏電流。研究低壓元件的漏電流來源是很重要的，為了促進(jìn)ZnO晶粒的長(zhǎng)大，低壓元件中通常會(huì)添加大量的TiO2，過量摻雜造成壓敏元件漏電流增大[6]～[9]，在元件性能測(cè)試時(shí)容易引入假象，例如壓敏電壓和啟動(dòng)電壓偏離較大。測(cè)試元件的非線性時(shí)，我們希望漏電流以通過晶界的電流為主。但低壓元件普遍存在吸潮現(xiàn)象，初燒成的低壓元件漏電流可以保持在4～20μA內(nèi)，放置8～24h后，元件的漏電流可以增大到200μA。這樣的元件的晶界非線性并沒有被破壞，但卻表現(xiàn)出非線性低，壓敏電壓也稍有降低的表象。

由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請(qǐng)，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！

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連續(xù)工作電壓MCOV

連續(xù)工作電壓MCOV指的是壓敏電阻在應(yīng)用時(shí)能長(zhǎng)期承受的直流電壓UDC或交流電壓有效值URMS直流電壓的值為80%~92%U1mA，或產(chǎn)品在85℃下，正常工作1000h，施加的直流電壓；交流電壓的值為60%~65%U1mA，或產(chǎn)品在85℃下，正常工作1000h，施加的交流電壓。

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