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壓敏電阻直流作用下的老化機(jī)理
直流作用下。反偏壓側(cè)的Zni向晶界遷移,中和了部分VZn,使表面受主態(tài)密度下降,勢(shì)壘降低,阻性電流增大。直流電壓作用下的老化不對(duì)稱,是因?yàn)闇y(cè)試電壓極性如與老化時(shí)加的電壓一致,電壓主要加在正極性側(cè)的耗盡層上,而這一側(cè)可遷移的填隙鋅離子已不多;如極性相反,則電壓主要加在另一側(cè)的耗盡層上,而這側(cè)有大量的填隙鋅離子,所以阻性電流大。
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壓敏電壓U1mA
壓敏電阻的電流為1mA時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標(biāo)準(zhǔn),該電壓用U1mA表示,稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)轉(zhuǎn)折點(diǎn)的一個(gè)參數(shù),一般情況下是一般情況下是1mA(Φ5 產(chǎn)品為0.1mA)直流電流通過時(shí),產(chǎn)品的兩端的電壓值,其偏差為±0.1%。
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殘壓比KR
通過壓敏電阻器的電流為某一值時(shí),在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。
殘壓比KR的定義公式為:
KR =UR/UN
殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過電壓的能力,在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用,在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。
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